鉭電容全稱是鉭電解電容（也有人叫鉭質電容器），歸于電解電容的一種，運用金屬鉭做介質，不像普通電解電容那樣運用電解液，因而適合在高溫下作業，是電容器中體積小而又能到達較大電容量的產品，在電源濾波、溝通旁路等用途上罕見競爭對手。

鉭電容優點：

鉭電容本身幾乎沒有電感，但這也約束了它的容量。此外，因為鉭電容內部沒有電解液，很適合在高溫下作業。

鉭電容的特點是壽命長、耐高溫、準確度高、濾高頻諧波功能極好。在鉭電解電容器作業過程中，具有自動修補或隔絕氧化膜中的疵點所在的功能，使氧化膜介質隨時得到加固和康復其應有的絕緣能力，而不致遭到連續的累積性破壞。這種獨特自愈功能，確保了其長壽命和可靠性的優勢。

鉭電解電容器具有非常高的作業電場強度，并較同類型電容器都大，以此確保它的小型化。

  鉭電容缺點：

容量較小、價格也比鋁電容貴，并且耐電壓及電流能力較弱。它被應用于大容量濾波的當地，像CPU插槽鄰近就看到鉭電容的身影，多同陶瓷電容，電解電容合作運用或是應用于電壓、電流不大的當地。

  聚合物鉭電容簡介

聚合物電容是選用高電導率的聚合物資料作為陰極的片式疊層鋁電解電容器，具有逾越現有液體片式鋁電解電容器和固體片式鉭電解電容器的杰出電功能。聚合物電容在額外電壓規模內，無需降壓運用。

具有極低的等效串聯電阻（ESR），下降紋波電壓能力強，允許通過更大紋波電流。聚合物片式疊層鋁電解電容器在高頻下，阻抗曲線呈現近似理想電容器特性。在頻率改變情況下，電容量非常安穩。此類電容器首要應用于主板（筆記本電腦、平板顯示器、數字交換機 ）旁路去耦/儲能濾波電容、開關電源、DC/DC變換器、高頻噪聲抑制電路及便攜式電子設備等。AVX代理商

  導電高分子資料自誕生以來因為打破了有機物（塑料）不能導電的傳統物理理論，即具有有機物柔軟的特性，一起又可以導電，因而，其應用規模現已遠遠逾越當初的預期，在電子工業上的應用上乃至帶來了一場革新。高端的應用可見隱形戰斗機的表面涂層，家里的應用可在大屏幕電視機的的防靜電涂層。尤其是在電子元件上的應用上幾乎帶來了功能上的革新，例如片式鉭電容器。

      在選用了高分子陰極資料替代了電子電導型的二氧化錳后，電容器的陰極由不導電的半導體變成了導體，電容器的自有高頻阻抗ESR因而成倍下降，在電容器的應用頻率規模得到了兩個數量級的進步的一起，還處理了半導體陰極二氧化錳片式鉭電容器抗浪涌能力差的致命缺點，對應用條件最為嚴苛的開關電源電路里固有的浪涌脈沖乃至呈鈍感現象，即便是有10%左右的稍微降額，電容器都可以具有更高的可靠性。并且在意外擊穿時不焚燒，不爆破，不會引發二次效應。它不但完全處理了應用于開關電源電路里的鉭電容器的失效問題，并且還把電容器的濾波頻率規模大幅度進步到曩昔不能進入的中高頻濾波電路。

    鉭電容器運用的高分子陰極資料依照技術進步方向可分如下幾代；第一代高分子資料為聚砒咯，因為該高分子陰極資料有必要運用電化學聚合，因而，出產效率和合格率偏低，并且只能應用于額外電壓低于16V以下的產品，在高溫安穩性上體現顯著差于二氧化錳。最高容許運用溫度偏低，只能到達105度。假如長期運用在溫度較高的電路，會呈現容量損失，阻抗增大的現象。鑒于以上原因，在2010年左右，聚砒咯現已根本被熱安穩性更好，出產工藝更簡略的的聚噻吩替代。聚噻吩成為功能顯著逾越聚吡咯的第二代高分子資料。與第一代的高分子資料聚吡咯相比，第二代高分子資料聚噻吩的出產首要運用化學聚合的辦法，把EDOT單體和對甲苯磺酸鐵氧化劑按照必定的化學當量比進行制造，在必定的溫度下就可以完結功能顯著優于聚吡咯的聚噻吩PEDT膜的聚合。但是，因為化學聚合的聚噻吩膜是在孔徑1微米到幾十微米的多孔鉭陽極基體中完結的，完結聚合后的PEDT膜中含有很多的被作為電子施與體的三價鐵離子，而這些鐵離子的存在不但會導致構成的PEDT膜的結構完好性存在缺點，并且還會導致膜上存在過多的離子導電通道，然后導致電容器的直流漏電流偏大。去除構成的PEDT膜中的鐵離子只能選用極性較弱的有機溶劑進行清洗。因為鉭電容器內部的微孔直徑過小，因而，實際上現已構成的PEDT膜中鐵離子無論運用任何有機溶劑都很難清洗干凈，這樣，運用此工藝辦法出產的聚噻吩膜PEDT的物理結構不但存在缺點，并且因為其間依然含有必定量的鐵離子而導致電容器的漏電流偏大。別的，運用此工藝出產的PEDT膜的熱安穩性依然存在問題，只能到達105℃。因而，直接運用化學聚合法在鉭電容器電介質層上構成的PEDT膜的運用溫度上限遭到嚴格約束，假如漏電流偏大的產品作業環境溫度又偏高，運用一段時間后，電容器依然會呈現容量損失，阻抗添加的現象。只能運用在不存在頻繁大功率脈沖的濾波電路。運用在作業溫度偏高的大功率脈沖電路時，可靠性會隨作業時間延伸而下降。

       因為軍用電容器運用的環境條件較嚴苛，因而，一切元件有必要具有長期 耐受125℃的高溫安穩性，按照此標準要求，漏電流偏大的化學聚合法出產的高分子片式鉭電容器在長期需求高溫下作業的大功率脈沖充放電電路里運用時，可靠性雖然比二氧化錳陰極的片式鉭電容器高，但依然會呈現必定的失效問題，與運用在簡略的濾波電路里時的可靠性差異很大。AVX代理商

        一起，因為運用化學聚合法出產的聚噻吩膜的大分子結構完好性存在缺點，分子鏈長度和交聯度偏低，并且其間含有會導致漏電流增大的鐵離子濃度較高，因而，運用化學聚合法出產的聚噻吩PEDT膜只能用來出產額外電壓不超越35V的片式鉭電容器。當電容器的額外電壓稍高時，容易呈現忽然擊穿的失效現象。并且出產出的產品的漏電流無法到達二氧化錳陰極片式鉭電容器的水平。產品可靠性因而遭到嚴重影響。

       為了處理上述問題，第三代高分子出產工藝呈現了；針對第二代化學聚合中存在的問題和缺點，第三代高分子資料雖然依然選用聚噻吩PEDT，但此聚噻吩因為聚合出產工藝不同，所具有的功能現已今非昔比，不但處理了漏電流偏大的問題，并且還可以出產額外電壓到達100V以上的高分子片式鉭電容器。

      第三代高分子聚合物聚噻吩首先在容器中按照必定的化學當量比完結聚合后，再運用電化學的辦法完全去除聚噻吩中的鐵離子，然后運用一些偶聯劑和其他可以確保安穩性的化學溶劑，再運用極性較強的水來制造成純度很高的聚噻吩水溶液，再運用簡略的浸漬辦法使此溶液浸透進入鉭電容器胚塊內部微孔中，在高于水的沸點烘干，就可以構成化學結構完好，膜中不存在易導致漏電流增大的鐵離子的聚噻吩膜。

     運用此辦法出產的高分子鉭電容器的漏電流不但可以比第二代化學聚合法出產的產品低一個數量級，并且高溫熱安穩性獲得了極大的改觀，在125度下的功能安穩性乃至到達或超越二氧化錳陰極的片式鉭電容器。

    這樣，運用第三代物理聚合法出產的高分子片式鉭電容器的可靠性與第二代高分子片式鉭電容器相比，得到了數量級的進步。運用在最嚴苛的大功率脈沖充放電電路，即便長期作業在較高的溫度下，依然具有極高的可靠性。別的，因為其還可以出產額外電壓更高的產品，因而，高壓固體二氧化錳電容器的最后一段陣地也被攻克。二氧化錳電容器被完全替代現已沒有任何技術問題了。

       關于作業電壓到達28V以上，又需求高容量的T/R組件，AVX代理商這是唯一可以滿意一切要求的高功率高可靠性電容器。